白光LED外延片及其制作工藝以及白光LED芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210015781.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102593290B 公開（公告）日 2014-08-13
申請公布號 CN102593290B 申請公布日 2014-08-13
分類號 H01L33/08(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吉愛華;張杰;邊樹仁;胡家祺;周升濤;吉志英 申請（專利權(quán)）人 鄂爾多斯市榮泰光電科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄂爾多斯市榮泰光電科技有限責(zé)任公司
地址 017000 內(nèi)蒙古自治區(qū)鄂爾多斯市東勝區(qū)天驕路金輝大廈21層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種白光LED外延片及其制作工藝以及白光LED芯片的制作方法，白光LED外延片在藍(lán)寶石襯底上成型有GaN緩沖層，在緩沖層上依次成型有綠光N-GaN接觸層、綠光InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層、綠光P-GaN接觸層、藍(lán)綠光級聯(lián)層、藍(lán)光N-GaN接觸層、藍(lán)光InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層、藍(lán)光P-GaN接觸層、紅藍(lán)光級聯(lián)層、紅光N-GaP電流擴(kuò)展及歐姆接觸層、紅光N-AlGaInP過渡及下限制層、紅光多量子阱AlGaInP發(fā)光層、紅光P-AlGaInP上限制層、紅光P-GaP電流擴(kuò)展層、黃紅光級聯(lián)層、黃光N-GaP電流擴(kuò)展及歐姆接觸層、黃光N-AlGaInP過渡和下限制層、黃光多量子阱AlGaInP發(fā)光層、黃光P-AlGaInP上限制層及黃光P-GaP電流擴(kuò)展層。本發(fā)明的外延片，擺脫了熒光粉的束縛，具有非常好的顯色性。