一種稀土納米二氧化硅質(zhì)子膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810089699.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108281690B 公開（公告）日 2020-03-13
申請公布號 CN108281690B 申請公布日 2020-03-13
分類號 H01M8/1016;B82Y30/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張德勝 申請（專利權(quán)）人 溫州市贏創(chuàng)新材料技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 325011 浙江省溫州市龍灣區(qū)狀元街道樂清路21號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種稀土納米二氧化硅質(zhì)子膜及其制備方法，它是由下述重量份的原料組成的：硫化亞錫0.1?0.2、甲基丙烯酸三氟乙酯1?2、聚苯醚75?80、烷醇酰胺0.7?1、二甲基亞砜20?30、稀土納米二氧化硅溶液10?13、甲磺酸2?3、三氧化二銻1?2。本發(fā)明引入的稀土離子也能夠更好的分散到薄膜中，實現(xiàn)薄膜的導(dǎo)電均勻性，本發(fā)明的質(zhì)子膜電導(dǎo)率穩(wěn)定，膜的強度高，綜合性能優(yōu)越。