一種消除電鍍空洞的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021144752.2 申請日 -
公開（公告）號 CN212783437U 公開（公告）日 2021-03-23
申請公布號 CN212783437U 申請公布日 2021-03-23
分類號 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方梁洪;彭祎;任超;李春陽;劉鳳;劉明明 申請（專利權(quán)）人 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)庵東工業(yè)園區(qū)華興地塊中橫路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種消除電鍍空洞的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型的消除電鍍空洞的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：晶圓，晶圓的表面具有焊盤；鈍化層，設(shè)于晶圓有焊盤一側(cè)的表面上方及焊盤的表面上方，鈍化層與焊盤對應(yīng)的位置處形成有用于暴露焊盤的開口；第一導(dǎo)電凸塊，位于開口內(nèi)，第一導(dǎo)電凸塊用于填充開口；第二導(dǎo)電凸塊，位于第一導(dǎo)電凸塊的上方且與第一導(dǎo)電凸塊電連接，第二導(dǎo)電凸塊用于實現(xiàn)與外部的電連接。本實用新型通過第一導(dǎo)電凸塊填充不規(guī)則開口，再進(jìn)行電鍍形成第二導(dǎo)電凸塊，能夠有效地消除在不規(guī)則開口內(nèi)電鍍產(chǎn)生的電鍍空洞，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電鍍后凸塊呈現(xiàn)電鍍空洞的問題，提高了芯片封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。??