一種鈮酸鋰晶圓的減薄方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010711681.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111900078A | 公開（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申請公布號 | CN111900078A | 申請公布日 | 2020-11-06 |
| 分類號 | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 何肇陽;趙亞東;羅立輝;鐘志明;汪洋;陳楚杰 | 申請（專利權(quán)）人 | 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)庵東工業(yè)園區(qū)華興地塊中橫路18號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種鈮酸鋰晶圓的減薄方法，屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的鈮酸鋰晶圓的減薄方法，包括以下步驟：提供一鈮酸鋰晶圓，在鈮酸鋰晶圓的背面貼第一劃片膠膜，并沿鈮酸鋰晶圓正面的切割道進(jìn)行預(yù)切割至預(yù)定深度；去除第一劃片膠膜，在鈮酸鋰晶圓的正面貼磨片膠膜，磨片膠膜為雙層膠膜；對鈮酸鋰晶圓的背面進(jìn)行研磨至晶粒分離；在鈮酸鋰晶圓的背面貼第二劃片膠膜，再去除磨片膠膜。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了鈮酸鋰晶圓的研磨前切割工藝，避免了現(xiàn)有技術(shù)中鈮酸鋰晶圓在磨切加工時易出現(xiàn)脆性破壞、亞表面損傷層深和切割正背面崩裂大等損傷的現(xiàn)象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以內(nèi)，有利于保證鈮酸鋰芯片封裝產(chǎn)品的品質(zhì)。?? |
