一種應(yīng)用于小芯片的背面研磨優(yōu)化方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010559436.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111883448A 公開（公告）日 2020-11-03
申請公布號 CN111883448A 申請公布日 2020-11-03
分類號 H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鳳;方梁洪;任超;李春陽;劉明明;梁于壕 申請（專利權(quán)）人 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)庵東工業(yè)園區(qū)華興地塊中橫路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于小芯片的背面研磨優(yōu)化方法及裝置，所述方法包括：提供多組測試晶圓；在正面進(jìn)行預(yù)切割操作，并貼上研磨保護(hù)膜，依次對測試晶圓的背面進(jìn)行研磨處理，獲取第一狀態(tài)信息；其中晶粒第一狀態(tài)信息最好的測試晶圓所對應(yīng)的研磨保護(hù)膜為預(yù)設(shè)研磨保護(hù)膜；再次提供多組測試晶圓，對測試晶圓正面進(jìn)行預(yù)切割操作，并貼上預(yù)設(shè)研磨保護(hù)膜；獲取多組研磨參數(shù)，并對測試晶圓分別進(jìn)行研磨，獲取第二狀態(tài)信息；其中晶粒第二狀態(tài)信息最好的測試晶圓所所對應(yīng)的研磨參數(shù)為預(yù)設(shè)研磨參數(shù)，通過對研磨保護(hù)膜和研磨參數(shù)的合理選擇，能減少在背部研磨過程中出現(xiàn)飛晶、裂晶等情況，提高背部研磨的質(zhì)量，保護(hù)了研磨機(jī)。??