一種晶圓電鍍裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021137557.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213327878U 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN213327878U 申請公布日 2021-06-01
分類號 C25D17/02（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I;C25D17/10（2006.01）I;C25D17/00（2006.01）I 分類 電解或電泳工藝；其所用設備〔4〕;
發(fā)明人 李春陽;方梁洪;任超;劉明明;彭祎;梁于壕 申請（專利權）人 寧波芯健半導體有限公司
代理機構 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)庵東工業(yè)園區(qū)華興地塊中橫路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種晶圓電鍍裝置，包括：電鍍槽，所述電鍍槽包括槽體；電力線擋板，所述電力線擋板豎直放置在所述槽體的中間位置，所述電力線擋板為圓形板，所述電力線擋板上設有擋板通孔，所述電力線擋板位于所述槽體的下半部分的兩側(cè)對稱設有電鍍遮擋部，所述電鍍遮擋部為由遮擋直線和遮擋弧線圍成的封閉區(qū)域，所述遮擋弧線與所述電力線擋板相切，所述遮擋弧線與所述電力線擋板的切線至所述遮擋直線的間距為2?4cm；陽極材料板，所述陽極材料板靠近所述槽體一側(cè)的內(nèi)壁設置；晶圓固定部，所述晶圓固定部靠近所述槽體的遠離所述陽極材料板的一側(cè)的內(nèi)壁設置。實施本實用新型，可提升晶圓級封裝中凸塊高度的均勻性。??