一種用于濺射工藝的晶圓固定結(jié)構(gòu)和晶圓濺射裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021671287.8 申請日 -
公開（公告）號 CN213327815U 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN213327815U 申請公布日 2021-06-01
分類號 C23C14/50（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 高局;趙亞東;鐘志明;陳楚杰;楊小龍;方梁洪 申請（專利權(quán)）人 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)庵東工業(yè)園區(qū)華興地塊中橫路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種用于濺射工藝的晶圓固定結(jié)構(gòu)和晶圓濺射裝置，涉及芯片制造領(lǐng)域，其中晶圓固定結(jié)構(gòu)包括：非金屬平臺，具有放置所述晶圓的工作面，所述工作面為能夠與所述晶圓貼合的平面，所述工作面能夠覆蓋所述晶圓的非濺射面；固定件，設(shè)置于所述工作面的上方，能夠壓緊在所述晶圓的濺射面上，進(jìn)而將所述晶圓壓緊在所述工作面上。本公開能夠防止濺射作業(yè)過程中電離子上下導(dǎo)通擊穿晶圓，確保晶圓質(zhì)量，提高良品率。??