垂直型金氧半場效晶體管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022576105.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213583799U 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN213583799U 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃彥智;俞仲威 申請（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種垂直型金氧半場效晶體管器件，包括：P型基體層、輕摻雜N型漂移層、重摻雜N型襯底層，位于P型基體層中的溝槽從P型基體層上表面延伸至輕摻雜N型漂移層內(nèi)，此溝槽內(nèi)具有一柵極多晶硅部；位于所述P型基體層上部且在溝槽周邊具有一重摻雜N型源極區(qū)，一漏極金屬層位于重摻雜N型襯底層與輕摻雜N型漂移層相背的表面，所述重摻雜N型源極區(qū)上表面開有一凹槽，一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述溝槽和柵極多晶硅部上表面并延伸覆蓋凹槽一部分，一源極金屬層覆蓋于和重摻雜P型植入?yún)^(qū)上表面并延伸覆蓋重摻雜N型源極區(qū)的凹槽剩余部分。本實用新型提高了重摻雜N型源極區(qū)與源極金屬層、絕緣介質(zhì)層的結(jié)合力，并降低了歐姆接觸電阻。