溝槽絕緣柵雙極型晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022423571.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214152905U 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN214152905U 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭家銘;俞仲威;黃國倫;張朝宗 申請（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種溝槽絕緣柵雙極型晶體管，包括：P型摻雜阱層、輕摻雜N型漂移層、輕摻雜N型緩沖層和重摻雜P型集電區(qū)層，位于P型摻雜阱層中且間隔設(shè)置的第一溝槽、第二溝槽延伸至輕摻雜N型漂移層內(nèi)；位于第一溝槽、第二溝槽之間且在P型摻雜阱層上部沿水平方向設(shè)置有依次連接的第一重摻雜N型源極區(qū)、重摻雜P型區(qū)、第二重摻雜N型源極區(qū)，所述第二重摻雜N型源極區(qū)位于第二溝槽的周邊；一發(fā)射極層覆蓋于第一重摻雜N型源極區(qū)、重摻雜P型區(qū)、第二重摻雜N型源極區(qū)上表面。本實用新型既提高了雙極型晶體管開啟操作速度，也提高了器件的關(guān)閉操作速度，從而降低了開關(guān)損耗。