深溝槽功率MOS半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022576642.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213583800U 公開（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN213583800U 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃彥智;俞仲威 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號(hào)創(chuàng)新廣場(chǎng)B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種深溝槽功率MOS半導(dǎo)體器件，所述MOS器件包括至少2個(gè)MOS器件單胞，所述MOS器件單胞進(jìn)一步包括：位于N型硅片本體上部的P型基體層、位于N型硅片本體中部的輕摻雜N型漂移層、位于N型硅片本體下部的重?fù)诫sN型襯底層；重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面開有一凹槽，一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述溝槽和柵極多晶硅部上表面并延伸覆蓋凹槽一部分，一源極金屬層覆蓋于重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面并延伸覆蓋重?fù)诫sN型源極區(qū)的凹槽剩余部分；相鄰所述MOS器件單胞之間的P型基體層內(nèi)具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至輕摻雜N型漂移層的中部。本實(shí)用新型深溝槽功率MOS半導(dǎo)體器件提高了重?fù)诫sN型源極區(qū)與源極金屬層、絕緣介質(zhì)層的結(jié)合力，并能承受更高電壓，避免在高壓時(shí)被擊穿。