MOS型功率半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022570975.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213988891U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213988891U 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃彥智;俞仲威 申請（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種MOS型功率半導(dǎo)體器件，所述MOS器件包括至少2個MOS器件單胞，所述MOS器件單胞進(jìn)一步包括：位于所述P型基體層上部且在溝槽周邊具有一重?fù)诫sN型源極區(qū)，一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述溝槽和柵極多晶硅部上表面并延伸覆蓋凹槽一部分，一源極金屬層覆蓋于重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面并延伸覆蓋重?fù)诫sN型源極區(qū)的凹槽剩余部分；溝槽內(nèi)間隔設(shè)置有第一柵極多晶硅部、第二柵極多晶硅部，此第一柵極多晶硅部位于第二柵極多晶硅部正上方；相鄰所述MOS器件單胞之間的P型基體層內(nèi)具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至輕摻雜N型漂移層的中部。本實用新型MOS型功率半導(dǎo)體器件能承受更高電壓，避免在高壓時被擊穿，并改善了MOS器件開關(guān)損耗。