大電流絕緣柵雙極型晶體管器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022413927.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214254425U 公開（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN214254425U 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭家銘;俞仲威;黃國倫;張朝宗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號(hào)創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種大電流絕緣柵雙極型晶體管器件，包括：輕摻雜N型緩沖層和位于輕摻雜N型硅片本體下部的重?fù)诫sP型集電區(qū)層；位于P型摻雜阱層中且間隔設(shè)置的第一溝槽、第二溝槽延伸至輕摻雜N型漂移層內(nèi)，所述第一溝槽、第二溝槽內(nèi)分別具有第一柵極部、第二柵極部；位于第一溝槽、第二溝槽之間且在P型摻雜阱層上部沿水平方向設(shè)置有重?fù)诫sP型源極區(qū)、重?fù)诫sN型源極區(qū)，所述重?fù)诫sP型源極區(qū)位于第二溝槽的周邊，所述重?fù)诫sN型源極區(qū)位于第一溝槽的周邊；一第一柵電極層、第二柵電極層分別位于第一柵極部、第二柵極部上表面。本實(shí)用新型晶體管器件使器件能快速關(guān)斷，從而降低了晶體管器件的損耗。