垂直功率MOS半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022576645.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213583801U 公開(kāi)（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN213583801U 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃彥智;俞仲威 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 開(kāi)泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號(hào)創(chuàng)新廣場(chǎng)B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)一種垂直功率MOS半導(dǎo)體器件，所述MOS器件包括至少2個(gè)MOS器件單胞，所述MOS器件單胞進(jìn)一步包括：位于所述P型基體層上部且在溝槽周邊具有一重?fù)诫sN型源極區(qū)，一重?fù)诫sP型植入?yún)^(qū)位于重?fù)诫sN型源極區(qū)外側(cè)周邊并在豎直方向延伸至重?fù)诫sN型源極區(qū)下方；一漏極金屬層位于重?fù)诫sN型襯底層與輕摻雜N型漂移層相背的表面，重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面開(kāi)有一凹槽，一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述溝槽和柵極多晶硅部上表面并延伸覆蓋凹槽一部分；相鄰所述MOS器件單胞之間的P型基體層內(nèi)具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至輕摻雜N型漂移層的中部。本實(shí)用新型垂直功率MOS半導(dǎo)體器件在處于反偏壓時(shí)，避免器件過(guò)早發(fā)生崩潰現(xiàn)象且降低了歐姆接觸電阻。