高可靠性溝槽功率MOS晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022576714.0 申請日 -
公開（公告）號 CN213583802U 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN213583802U 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃彥智;俞仲威 申請（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種高可靠性溝槽功率MOS晶體管，包括：P型基體層、輕摻雜N型漂移層、重?fù)诫sN型襯底層，位于所述P型基體層上部且在溝槽周邊具有一重?fù)诫sN型源極區(qū)，一重?fù)诫sP型植入?yún)^(qū)位于重?fù)诫sN型源極區(qū)外側(cè)周邊并在豎直方向延伸至重?fù)诫sN型源極區(qū)下方，所述重?fù)诫sP型植入?yún)^(qū)在水平且朝向溝槽方向延伸至重?fù)诫sN型源極區(qū)正下方；所述重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面開有一凹槽，一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述溝槽和柵極多晶硅部上表面并延伸覆蓋凹槽一部分，一源極金屬層覆蓋于和重?fù)诫sP型植入?yún)^(qū)上表面并延伸覆蓋凹槽剩余部分。本實(shí)用新型高可靠性溝槽功率MOS晶體管在處于反偏壓時，避免器件過早發(fā)生崩潰現(xiàn)象且降低了歐姆接觸電阻。