雙閘極溝槽式絕緣閘雙極性晶體管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011162518.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114497171A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114497171A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭家銘;俞仲威;黃國倫;張朝宗 申請（專利權）人 開泰半導體（深圳）有限公司
代理機構 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種雙閘極溝槽式絕緣閘雙極性晶體管器件，其位于P型摻雜阱層中且間隔設置的第一溝槽、第二溝槽延伸至輕摻雜N型漂移層內，位于第一溝槽、第二溝槽之間且在P型摻雜阱層上部沿水平方向設置有依次連接的重摻雜P型源極區(qū)、重摻雜N型源極區(qū)，所述重摻雜P型源極區(qū)位于第二溝槽的周邊；P型摻雜阱層中部和上部分別設置有N型摻雜阱層、P型摻雜基區(qū)層，重摻雜P型源極區(qū)、重摻雜N型源極區(qū)均位于P型摻雜基區(qū)層的上部。本發(fā)明晶體管器件具有很低的VCE飽和電壓，降低了功率效能的損失，在器件導通狀態(tài)下，實現(xiàn)了非常低的導通電壓和更快開啟，在器件斷開狀態(tài)下，使器件能更快速關斷。