低功耗功率MOS場效應(yīng)管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022570687.6 申請日 -
公開（公告）號 CN213988890U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213988890U 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃彥智;俞仲威 申請（專利權(quán)）人 開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王健
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場B1404
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種低功耗功率MOS場效應(yīng)管，包括：P型基體層、輕摻雜N型漂移層、重?fù)诫sN型襯底層，重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面開有一凹槽，一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述溝槽和柵極多晶硅部上表面并延伸覆蓋凹槽一部分，一源極金屬層覆蓋于重?fù)诫sN型源極區(qū)上表面并延伸覆蓋重?fù)诫sN型源極區(qū)的凹槽剩余部分；溝槽內(nèi)間隔設(shè)置有第一柵極多晶硅部、第二柵極多晶硅部，此第一柵極多晶硅部位于第二柵極多晶硅部正上方，所述第一柵極多晶硅部、第二柵極多晶硅部與溝槽之間設(shè)置有第一柵極氧化隔離層。本實用新型低功耗功率MOS場效應(yīng)管提高了重?fù)诫sN型源極區(qū)與源極金屬層、絕緣介質(zhì)層的結(jié)合力，并改善了MOS器件開關(guān)損耗。