半導(dǎo)體器件內(nèi)部焊點表面異物層的解析方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910294488.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109994397B 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN109994397B 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01L21/66;H01L21/02;G01N23/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李文婷;毛飛燕 申請（專利權(quán)）人 英特爾產(chǎn)品（成都）有限公司
代理機構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 林錦輝
地址 611731 四川省成都市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)西區(qū)科新路8-1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件內(nèi)部焊點表面處理技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件內(nèi)部焊點表面異物層的解析方法及系統(tǒng)，首先使用物理研磨除去晶圓焊點表面異物層上的基底材料和/或封裝填充物；然后使用聚焦離子束對經(jīng)過研磨的晶圓表面進行清洗，直至晶圓的研磨表面露出異物層；繼續(xù)使用聚焦離子束對異物層進行清洗，直至異物層縱向和橫向均露出端面；并且上述清洗過程中，保持聚焦離子束與晶圓的表面直接形成一個小于15°的夾角；使用材料分析儀對清洗后露出縱向和橫向端面的異物層進行分析。