電阻式存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911390437.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113130737A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130737A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類(lèi)號(hào) H01L45/00（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃清俊;鄧允斌;歐陽(yáng)錦堅(jiān);談文毅 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市柳沈律師事務(wù)所 代理人 陳小雯
地址 361100福建省廈門(mén)市翔安區(qū)萬(wàn)家春路899號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種電阻式存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中該電阻式存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包含一基底，一電阻式存儲(chǔ)器埋入基底，其中電阻式存儲(chǔ)器包含一下電極、一金屬氧化物層和一上電極，一第一摻雜區(qū)埋入基底并且圍繞下電極，一晶體管設(shè)置于電阻式存儲(chǔ)器的一側(cè)，其中晶體管包含一柵極結(jié)構(gòu)位于基底上，一源極位于柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)并且埋入基底，一漏極位于柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)并且埋入基底，其中第一摻雜區(qū)和漏極接觸。