電阻式存儲器結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201911390437.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113130737A | 公開（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申請公布號 | CN113130737A | 申請公布日 | 2021-07-16 |
| 分類號 | H01L45/00（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃清俊;鄧允斌;歐陽錦堅;談文毅 | 申請（專利權(quán)）人 | 聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人 | 陳小雯 |
| 地址 | 361100福建省廈門市翔安區(qū)萬家春路899號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種電阻式存儲器結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中該電阻式存儲器結(jié)構(gòu)包含一基底，一電阻式存儲器埋入基底，其中電阻式存儲器包含一下電極、一金屬氧化物層和一上電極，一第一摻雜區(qū)埋入基底并且圍繞下電極，一晶體管設(shè)置于電阻式存儲器的一側(cè)，其中晶體管包含一柵極結(jié)構(gòu)位于基底上，一源極位于柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)并且埋入基底，一漏極位于柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)并且埋入基底，其中第一摻雜區(qū)和漏極接觸。 |
