半導體存儲裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910822091.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112447739A | 公開（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請公布號 | CN112447739A | 申請公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號 | H01L27/11521(2017.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顏榕峻;王建智;楊光;呂嘉偉;袁林珊;談文毅 | 申請（專利權(quán)）人 | 聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人 | 陳小雯 |
| 地址 | 361100福建省廈門市翔安區(qū)萬家春路899號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種半導體存儲裝置，其包括基底、浮置柵極、層間介電層、互連結(jié)構(gòu)、蝕刻停止層、導電結(jié)構(gòu)以及開口。浮置柵極設(shè)置于基底上。層間介電層設(shè)置于浮置柵極上?；ミB結(jié)構(gòu)設(shè)置于層間介電層中。蝕刻停止層設(shè)置于層間介電層上。導電結(jié)構(gòu)貫穿蝕刻停止層且與互連結(jié)構(gòu)電連接。開口貫穿蝕刻停止層，且開口與浮置柵極的至少一部分于基底的厚度方向上重疊。?? |
