半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910822091.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112447739A 公開（公告）日 2021-03-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN112447739A 申請(qǐng)公布日 2021-03-05
分類號(hào) H01L27/11521(2017.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顏榕峻;王建智;楊光;呂嘉偉;袁林珊;談文毅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市柳沈律師事務(wù)所 代理人 陳小雯
地址 361100福建省廈門市翔安區(qū)萬(wàn)家春路899號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其包括基底、浮置柵極、層間介電層、互連結(jié)構(gòu)、蝕刻停止層、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及開口。浮置柵極設(shè)置于基底上。層間介電層設(shè)置于浮置柵極上?；ミB結(jié)構(gòu)設(shè)置于層間介電層中。蝕刻停止層設(shè)置于層間介電層上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)貫穿蝕刻停止層且與互連結(jié)構(gòu)電連接。開口貫穿蝕刻停止層，且開口與浮置柵極的至少一部分于基底的厚度方向上重疊。??