使用于沉積室的載環(huán)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911021514.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112708871A 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN112708871A 申請公布日 2021-04-27
分類號 C23C16/458;C23C16/513 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李敏福 申請（專利權(quán)）人 聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司
代理機構(gòu) 北京市柳沈律師事務所 代理人 陳小雯
地址 361100 福建省廈門市翔安區(qū)萬家春路899號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種使用于沉積室的載環(huán)，其包含一環(huán)狀盤體，包含一環(huán)狀晶片支撐區(qū)、一環(huán)狀周邊區(qū)，以及一環(huán)狀過渡區(qū)，介于所述環(huán)狀晶片支撐區(qū)和所述環(huán)狀周邊區(qū)之間。所述環(huán)狀周邊區(qū)包含一載環(huán)上表面，所述環(huán)狀晶片支撐區(qū)具有一較低載環(huán)表面，其在一晶片載送過程中與一晶片直接接觸，以及所述環(huán)狀過渡區(qū)包含一斜面，介于所述載環(huán)上表面和所述較低載環(huán)表面之間。所述斜面從所述載環(huán)上表面朝所述較低載環(huán)表面向下傾斜。