晶片涂布制作工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910831370.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112447549A | 公開（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請公布號 | CN112447549A | 申請公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號 | H01L21/67(2006.01)I;H05B3/20(2006.01)I;H05B1/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳有證;談文毅 | 申請（專利權(quán)）人 | 聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人 | 陳小雯 |
| 地址 | 361000福建省廈門市翔安區(qū)萬家春路899號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種晶片涂布制作工藝。首先，放置一晶片于支撐柱上，且晶片與位于晶片下方的一加熱盤之間具有一間距，使晶片能以一第一溫度涂布。接著，判定一目標晶片制作工藝溫度與第一溫度的差異，以改變晶片的一涂布溫度，其中當(dāng)目標晶片制作工藝溫度大于第一溫度時，直接加熱加熱盤至目標晶片制作工藝溫度；當(dāng)目標晶片制作工藝溫度小于第一溫度但大于一最低涂布溫度時，僅增加晶片與加熱盤之間的間距，其中最低涂布溫度為在沒有冷卻加熱盤且晶片與加熱盤之間具有一最大間距時的溫度；當(dāng)目標晶片制作工藝溫度小于最低涂布溫度時，增加晶片與加熱盤之間的間距且冷卻加熱盤。?? |
