晶片涂布制作工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910831370.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112447549A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112447549A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號(hào) | H01L21/67(2006.01)I;H05B3/20(2006.01)I;H05B1/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳有證;談文毅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人 | 陳小雯 |
| 地址 | 361000福建省廈門(mén)市翔安區(qū)萬(wàn)家春路899號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種晶片涂布制作工藝。首先，放置一晶片于支撐柱上，且晶片與位于晶片下方的一加熱盤(pán)之間具有一間距，使晶片能以一第一溫度涂布。接著，判定一目標(biāo)晶片制作工藝溫度與第一溫度的差異，以改變晶片的一涂布溫度，其中當(dāng)目標(biāo)晶片制作工藝溫度大于第一溫度時(shí)，直接加熱加熱盤(pán)至目標(biāo)晶片制作工藝溫度；當(dāng)目標(biāo)晶片制作工藝溫度小于第一溫度但大于一最低涂布溫度時(shí)，僅增加晶片與加熱盤(pán)之間的間距，其中最低涂布溫度為在沒(méi)有冷卻加熱盤(pán)且晶片與加熱盤(pán)之間具有一最大間距時(shí)的溫度；當(dāng)目標(biāo)晶片制作工藝溫度小于最低涂布溫度時(shí)，增加晶片與加熱盤(pán)之間的間距且冷卻加熱盤(pán)。?? |
