半導(dǎo)體器件的封裝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110000675.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112331572B | 公開（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112331572B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號(hào) | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳家洛;陸翼森;于學(xué)成;趙衛(wèi)東;楊國(guó)文;張艷春 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 度亙光電科技（南通）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孫海杰 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢215、217室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的封裝方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：提供第一器件、第二器件、緩沖層、第一焊料層和第二焊料層；第二焊料層的熔點(diǎn)低于第一焊料層的熔點(diǎn)，第一焊料層的熔點(diǎn)低于緩沖層的熔點(diǎn)；其中，第一器件和第二器件中的一個(gè)為熱沉結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為巴條結(jié)構(gòu)，首先在溫度較高的第一溫度范圍內(nèi)用第一焊料層將第一器件與緩沖層焊接先釋放了一部分應(yīng)力，然后在溫度較低的第二溫度范圍內(nèi)用第二焊料層再將第二器件與緩沖層焊接，以使第一器件和第二器件之間具有更小的焊接應(yīng)力，避免熱沉結(jié)構(gòu)和巴條結(jié)構(gòu)的分離或者翹曲，同時(shí)，設(shè)置在熱沉結(jié)構(gòu)和巴條結(jié)構(gòu)之間的緩沖層還能夠進(jìn)一步起到緩沖熱沉結(jié)構(gòu)與巴條結(jié)構(gòu)之間應(yīng)力的作用。?? |
