一種磁場屏蔽片及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110657511.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113388721A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113388721A 申請公布日 2021-09-14
分類號 C21D1/74（2006.01）I;C21D6/00（2006.01）I;C21D9/52（2006.01）I;B22F9/04（2006.01）I;C22C38/02（2006.01）I;C22C38/12（2006.01）I;C22C38/16（2006.01）I;C23C8/10（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I 分類 鐵的冶金;
發(fā)明人 張華;王湘粵;曾志超;李準;馬春博;李豪濱 申請（專利權(quán)）人 深圳市馭能科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州市科豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 羅嘯秋
地址 518122廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值擂k事處竹坑社區(qū)蘭竹東路同力興工業(yè)園辦公樓（多彩科技）六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于無線充電技術(shù)領域，公開了一種磁場屏蔽片及其制備方法和應用。所述制備方法包括如下制備步驟：（1）將納米晶帶材在惰性氣氛下進行熱處理；（2）對步驟（1）熱處理后的納米晶帶材進行碎磁處理；（3）對步驟（2）碎磁處理后的納米晶帶材進行氣氛氧化處理，所述氣氛氧化處理采用40～120℃及80％～95％濕度條件下的濕熱空氣氣氛熟化處理，得到所述磁場屏蔽片。本發(fā)明方法采用40～120℃及80％～95％濕度條件下的濕熱空氣氣氛熟化處理的氣氛氧化工藝，可優(yōu)先在碎化后的納米晶帶材縫隙生成氧化絕緣層，在提升電阻降低渦流損耗的同時，顯著改善氧化處理后磁場屏蔽片的均勻性及穩(wěn)定性。