一種大功率無(wú)線充電用納米晶導(dǎo)磁薄片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110572813.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113284690A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113284690A 申請(qǐng)公布日 2021-08-20
分類號(hào) H01F3/02（2006.01）I;H01F41/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李準(zhǔn);王湘粵;張華;馬春博;李豪濱;曾志超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市馭能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市科豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅嘯秋
地址 518122廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值擂k事處竹坑社區(qū)蘭竹東路同力興工業(yè)園辦公樓（多彩科技）六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于無(wú)線充電材料領(lǐng)域，公開(kāi)了一種大功率無(wú)線充電用納米晶導(dǎo)磁薄片及其制備方法。所述納米晶導(dǎo)磁薄片的成分組成為Fe（100?x?y?z?α?β?γ）MxCuyM’zSiαBβXγ，其飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs≥1.25T。所述制備方法為：將設(shè)定成分的合金制備成非晶態(tài)的合金薄帶，然后進(jìn)行設(shè)定退火處理，得到納米晶帶材，再進(jìn)行碎磁處理，得到所述大功率無(wú)線充電用納米晶導(dǎo)磁薄片。本發(fā)明通過(guò)設(shè)定的兩次晶化退火處理，進(jìn)一步結(jié)合雙面覆膠保護(hù)、破碎及復(fù)合工藝，所得納米晶導(dǎo)磁薄片產(chǎn)品可應(yīng)用于較大功率的無(wú)線充電場(chǎng)合，大幅提升無(wú)線充電模組性能。