一種無(wú)線充電及近場(chǎng)通訊用納米晶導(dǎo)磁薄片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023170068.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213460103U 公開（公告）日 2021-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN213460103U 申請(qǐng)公布日 2021-06-15
分類號(hào) H01Q1/52（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I;H01F1/153（2006.01）I;H02J50/10（2016.01）I;H02J7/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王湘粵;曾志超;張華;馬春博 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市馭能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市科豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅嘯秋
地址 518122廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值擂k事處竹坑社區(qū)蘭竹東路同力興工業(yè)園辦公樓（多彩科技）六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于磁性材料及裝置領(lǐng)域，公開了一種無(wú)線充電及近場(chǎng)通訊用納米晶導(dǎo)磁薄片。所述納米晶導(dǎo)磁薄片包括實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電功能的中心區(qū)域及實(shí)現(xiàn)近場(chǎng)通訊功能的外圍屏蔽區(qū)域；所述中心區(qū)域和外圍屏蔽區(qū)域在同一塊納米晶帶材上形成，中心區(qū)域的碎裂程度低于外圍屏蔽區(qū)域的碎裂程度以實(shí)現(xiàn)中心區(qū)域的磁導(dǎo)率高于外圍屏蔽區(qū)域的磁導(dǎo)率。本實(shí)用新型的納米晶導(dǎo)磁薄片通過不同的碎裂程度實(shí)現(xiàn)了在同一納米晶導(dǎo)磁薄片上獲得兩種不同磁導(dǎo)率性能，可滿足在一種磁屏蔽材料上同時(shí)實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電和近場(chǎng)通訊的最優(yōu)化功能。