一種無(wú)線充電及近場(chǎng)通訊用納米晶導(dǎo)磁薄片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011554030.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112712957B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN112712957B 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01F1/153;H01Q1/52;H05K9/00;H02J7/00;H02J50/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王湘粵;曾志超;張華;馬春博 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市馭能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市科豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅嘯秋
地址 518122 廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值擂k事處竹坑社區(qū)蘭竹東路同力興工業(yè)園辦公樓（多彩科技）六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于磁性材料技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種無(wú)線充電及近場(chǎng)通訊用納米晶導(dǎo)磁薄片及其制備方法。對(duì)納米晶帶材進(jìn)行熱處理后覆保護(hù)膜，然后進(jìn)行縱向輥剪處理，得到具有均勻縱向條狀紋路割裂的納米晶導(dǎo)磁薄片；對(duì)獲得的納米晶導(dǎo)磁薄片標(biāo)記出中心區(qū)域和外圍屏蔽區(qū)域，然后對(duì)外圍屏蔽區(qū)域進(jìn)行二次模壓破碎以獲得低于中心區(qū)域?qū)Т疟∑拇艑?dǎo)率，得到所述無(wú)線充電及近場(chǎng)通訊用納米晶導(dǎo)磁薄片。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在同一納米晶導(dǎo)磁薄片上獲得兩種不同磁導(dǎo)率性能，中心區(qū)域?yàn)楦叽艑?dǎo)率區(qū)實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電功能，外圍屏蔽區(qū)域?yàn)榈痛艑?dǎo)率區(qū)實(shí)現(xiàn)近場(chǎng)通訊功能。采用一種磁屏蔽材料來(lái)實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電和近場(chǎng)通訊功能最優(yōu)化解決方案。