一種超薄散熱型磁場(chǎng)屏蔽片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820510417.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN207978250U 公開（公告）日 2018-10-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN207978250U 申請(qǐng)公布日 2018-10-16
分類號(hào) H05K9/00;H02J50/70;H05K7/20 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 曾志超;魯曉燕;田憶蘭;劉仲武 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市馭能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市馭能科技有限公司;華南理工大學(xué)
地址 518103 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道寶安大道6301號(hào)偉豐大廈901房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于電子材料領(lǐng)域，公開了一種超薄散熱型磁場(chǎng)屏蔽片。所述磁場(chǎng)屏蔽片由多層碎化后納米晶帶材在導(dǎo)熱雙面膠的黏合作用下復(fù)合組成；所述超薄散熱型磁場(chǎng)屏蔽片的總體厚度為80～140μm；所述碎化后納米晶帶材的單層厚度為7～22μm，導(dǎo)熱雙面膠的單層厚度為3～5μm，碎化后納米晶帶材的單體間隙為0.1～5μm。并可進(jìn)一步使用厚度為5～15μm的散熱保護(hù)膜包邊處理。本實(shí)用新型磁場(chǎng)屏蔽片的厚度相對(duì)傳統(tǒng)隔磁片更薄，并進(jìn)一步采用散熱保護(hù)膜包邊處理，所得磁場(chǎng)屏蔽片的散熱效果得到了顯著的提高。