一種集成SBR的SGTMOSFET的器件結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210063150.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114093931B 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN114093931B 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I;H01L21/8249（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楠;黃健;孫閆濤;顧昀浦;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請（專利權）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機構 廣州京諾知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成SBR的SGT MOSFET的器件結構及其制作方法，包括襯底及外延層，外延層上設置有若干SGT溝槽及至少一個SBR溝槽；SGT溝槽包括由下至上依次設置的第一氧化層、第一多晶硅、極間氧化層、第二氧化層和第二多晶硅；SBR溝槽包括由下至上依次設置的第一氧化層、第一多晶硅、極間氧化層、第二氧化層和第二多晶硅；SGT溝槽之間的外延層設置有阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)設置有源區(qū)以及體接觸區(qū)。本發(fā)明的制作過程中，SBR溝槽被極間氧化層保護起來，SBR溝槽不會被破壞；SBR溝槽的第二氧化層一次成型，實現(xiàn)最佳形貌和mesa寬度，Vf性能好；SBR溝槽不需要犧牲氧化過程，成本降低；本發(fā)明的器件結構沒有源區(qū)注入?yún)^(qū)域的電阻，并且可以通過刻蝕減小溝道長度，優(yōu)化了Vf。