一種分離柵MOSFET的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111304887.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114038747A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114038747A 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;C09K13/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧昀浦;黃健;孫閆濤;張楠;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州京諾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種分離柵MOSFET的制作方法，包括步驟：以緩沖刻蝕液作為腐蝕液，以濕法腐蝕方式去除所述腐蝕緩沖材料；所述緩沖刻蝕液腐蝕所述腐蝕緩沖材料的速率，高于所述緩沖刻蝕液腐蝕所述第一電介質(zhì)材料的速率，所述緩沖刻蝕液為熱磷酸溶液，所述熱磷酸溶液以體積比表示的濃度為1:30～1:90。本發(fā)明采用熱磷酸溶液作為緩沖刻蝕液，能夠通過控制熱磷酸溶液的濃度和溫度，來控制刻蝕速度，以實現(xiàn)對側(cè)氧的斜坡狀形貌的精準(zhǔn)控制；熱磷酸溶液在刻蝕含硅的材料時，相對于含氟化合物來說，刻蝕過程更可控，能夠精準(zhǔn)控制側(cè)氧的傾角、上沿及下沿的厚度等。