一種平面型VDMOS器件雙柵極結(jié)構(gòu)的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210051895.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114373676A 公開（公告）日 2022-04-19
申請公布號 CN114373676A 申請公布日 2022-04-19
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧昀浦;黃健;孫閆濤;張楠;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州京諾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種平面型VDMOS器件雙柵極結(jié)構(gòu)的制作方法，在外延層表面形成ONO結(jié)構(gòu)；在第二氧化層上方設(shè)置第一掩膜，第一掩膜的設(shè)置位置與雙柵極的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化層為雙柵極間隔氧化層；在第二氧化層和雙柵極間隔氧化層上方淀積多晶硅；回刻多晶硅，使雙柵極間隔氧化層的表面外露，在雙柵極間隔氧化層的兩側(cè)留有多晶硅側(cè)墻，多晶硅側(cè)墻為平面型VDMOS器件的雙柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的雙柵極間隔氧化層在雙柵極結(jié)構(gòu)形成之前，先填充了雙柵極之間的間隔區(qū)域，能夠精確控制雙柵極結(jié)構(gòu)的位置，還能夠?qū)崿F(xiàn)體區(qū)注入成型的自對準，節(jié)省了工藝步驟，節(jié)約了成本。