一種集成SBR的SGTMOSFET的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210063171.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114400206A 公開（公告）日 2022-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN114400206A 申請(qǐng)公布日 2022-04-26
分類號(hào) H01L21/8249（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楠;黃健;孫閆濤;顧昀浦;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州京諾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成SBR的SGT MOSFET的制作方法，在外延層上形成SGT溝槽及SBR溝槽；形成ONO結(jié)構(gòu)；形成第一多晶硅；形成極間氧化層；去除位于極間氧化層上方的第二氧化層；去除SBR溝槽內(nèi)的極間氧化層上方的氮化物層；在溝槽內(nèi)，形成第二多晶硅。本發(fā)明不需要單獨(dú)制作SBR溝槽內(nèi)的器件結(jié)構(gòu)和SGT溝槽內(nèi)的器件結(jié)構(gòu)，能夠一次成型SBR溝槽和SGT溝槽內(nèi)的器件結(jié)構(gòu)，大大簡化了制作過程，節(jié)約了成本；本發(fā)明以第一氧化層和氮化物層作為SGT溝槽的柵氧，以第一氧化層作為SBR溝槽的柵氧，而位于SBR溝槽內(nèi)的氮化物層又起到了保護(hù)SBR溝槽側(cè)壁的作用，使得SBR溝槽不需要進(jìn)行SAC等對(duì)準(zhǔn)工藝，以實(shí)現(xiàn)SBR溝槽的CD小、mesa區(qū)域大，RDSON和VF性能好。