一種半導體功率器件結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111513373.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113921614A 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113921614A 申請公布日 2022-01-11
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楠;黃健;孫閆濤;顧昀浦;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請（專利權）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機構 廣州京諾知識產權代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體功率器件結構及其制造方法，包括襯底、外延層及若干溝槽，在溝槽內，柵極多晶硅的上端還設置有絕緣層；溝槽的外壁處設置有第二導電類型的體區(qū)，體區(qū)的表面設置有第一導電類型的源極區(qū)，以及第二導電類型的體接觸區(qū)；在外延層的表面還覆蓋有一阻擋層，在阻擋層的表面設置有金屬層，相鄰兩個溝槽的體區(qū)之間形成寄生肖特基區(qū)域。本發(fā)明的寄生肖特基在每個器件元胞單元內，不需要額外增加器件的面積，能夠使得VFSD更低，改善反向恢復的Trr，在電壓反偏時，體區(qū)與外延層橫向耗盡，形成空間電荷會將寄生肖特基表面保護起來，從而提高耐壓、降低肖特漏電。