一種半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111513373.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113921614A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113921614A 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張楠;黃健;孫閆濤;顧昀浦;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州京諾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括襯底、外延層及若干溝槽，在溝槽內(nèi)，柵極多晶硅的上端還設(shè)置有絕緣層；溝槽的外壁處設(shè)置有第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，體區(qū)的表面設(shè)置有第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)，以及第二導(dǎo)電類型的體接觸區(qū)；在外延層的表面還覆蓋有一阻擋層，在阻擋層的表面設(shè)置有金屬層，相鄰兩個(gè)溝槽的體區(qū)之間形成寄生肖特基區(qū)域。本發(fā)明的寄生肖特基在每個(gè)器件元胞單元內(nèi)，不需要額外增加器件的面積，能夠使得VFSD更低，改善反向恢復(fù)的Trr，在電壓反偏時(shí)，體區(qū)與外延層橫向耗盡，形成空間電荷會(huì)將寄生肖特基表面保護(hù)起來(lái)，從而提高耐壓、降低肖特漏電。