一種源柵間接電連接的先進(jìn)二極管封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110177369.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112992834B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN112992834B 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L23/488（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉靜;黃健;孫閆濤;顧昀浦;宋躍樺;吳平麗;張楠 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州京諾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 200120上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種源柵間接電連接的先進(jìn)二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體器件芯片、陰極金屬片、陽極金屬片、塑封體；半導(dǎo)體器件芯片的第一表面設(shè)置有源極焊盤和柵極焊盤；半導(dǎo)體器件芯片的第二表面設(shè)置有漏極焊盤；半導(dǎo)體器件芯片的源極和柵極未直接短接；當(dāng)所述源極焊盤和柵極焊盤直接短接時，半導(dǎo)體器件芯片為一MOS型先進(jìn)二極管；源極焊盤、柵極焊盤分別通過電連接件與陽極金屬片鍵合。本發(fā)明利用封裝電連接電阻，在先進(jìn)二極管正向工作時，在源極和柵極之間引入一個額外的壓降，促進(jìn)溝道開啟，從而在維持漏電流IR不變或者更低的情況下降低了器件的正向?qū)妷篤F，提升了先進(jìn)二極管的性能；不增加器件復(fù)雜程度，具有廣泛的適用性。