一種半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202220118621.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216563140U 公開（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN216563140U 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉靜;黃健;孫閆濤;顧昀浦;宋躍樺;吳平麗;張楠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州京諾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)，包括有源區(qū)、第一柱區(qū)和第二柱區(qū)，所述第一柱區(qū)有部分區(qū)域在所述有源區(qū)的范圍內(nèi)，所述第二柱區(qū)完全在所述有源區(qū)的范圍外，在第一方向上，所述第一柱區(qū)和第二柱區(qū)均勻分布；在與所述第一方向垂直的第二方向上，所述第一柱區(qū)和第二柱區(qū)的兩端齊平，且所述第一柱區(qū)的兩端與所述有源區(qū)邊緣的最短距離相同；在所述第一柱區(qū)和第二柱區(qū)的兩端分別設(shè)置有一第三柱區(qū)，所述第一柱區(qū)、第二柱區(qū)和第三柱區(qū)均電性連接。本實(shí)用新型通過在第一柱區(qū)和第二柱區(qū)的兩端分別設(shè)置第三柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了第一柱區(qū)、第二柱區(qū)和第三柱區(qū)的電性連接，可以緩解邊緣的第二柱區(qū)最尾部的場強(qiáng)，提高器件的可靠性。