一種多晶硅還原爐控溫節(jié)能系統(tǒng)及工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310404614.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103466629B 公開（公告）日 2016-01-20
申請公布號 CN103466629B 申請公布日 2016-01-20
分類號 C01B33/035(2006.01)I 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 陳宏偉;許晟 申請（專利權(quán)）人 上海美弛騰流體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海森松流體技術(shù)有限公司;上海森松新能源設(shè)備有限公司;森松（江蘇）重工有限公司
地址 200137 上海市浦東新區(qū)高翔環(huán)路562號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種多晶硅還原爐控溫節(jié)能系統(tǒng)及工藝，其特征在于包括三氯氫硅集中汽化器、氫氣預(yù)熱器、管道靜態(tài)混合器、還原爐、硅粉過濾器、尾氣控溫冷卻器；所述氫氣預(yù)熱器2連接到所述管道靜態(tài)混合器3，所述三氯氫硅集中汽化器連接到所述氫氣預(yù)熱器管程；所述管道靜態(tài)混合器連接到還原爐；所述還原爐4尾氣出氣口連接到所述尾氣控溫冷卻器殼程高溫氣相入口，所述尾氣控溫冷卻器殼程低溫氣相出口連接到所述氫氣預(yù)熱器殼程氣相入口。本系統(tǒng)及其使用方法，使得進料組分均勻、進料溫度穩(wěn)定可控，熱能利用充分，合理的降低還原爐及系統(tǒng)的能耗，更好地控制多晶硅的生長質(zhì)量。而且有效地除去尾氣管道的硅粉，保護了尾氣管路的閥門以及CDI系統(tǒng)的設(shè)備。