一種化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201420247283.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN203834049U 公開（公告）日 2014-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN203834049U 申請(qǐng)公布日 2014-09-17
分類號(hào) C30B11/00 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 盛麗娜;程翠然;李陽(yáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安西凱化合物材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安吉盛專利代理有限責(zé)任公司 代理人 邱志賢
地址 710000 陜西省西安市西咸新區(qū)秦漢新城管委會(huì)蘭池大道規(guī)劃展覽中心018室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種化合物半導(dǎo)體生長(zhǎng)裝置，屬于半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)工藝技術(shù)領(lǐng)域。其特征是：至少包括爐架、生長(zhǎng)爐體、裝載生長(zhǎng)材料的石英坩堝、坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)、上下恒溫電阻絲加熱爐、電阻絲、生長(zhǎng)爐移動(dòng)機(jī)構(gòu)，生長(zhǎng)爐體在爐架上平面內(nèi)放置，生長(zhǎng)爐體為一側(cè)開口的管狀結(jié)構(gòu)，上下恒溫電阻絲加熱爐也為管狀結(jié)構(gòu)，上下恒溫電阻絲加熱爐外徑小于生長(zhǎng)爐體的內(nèi)徑，可使上下恒溫電阻絲加熱爐在生長(zhǎng)爐體內(nèi)移動(dòng)；在上下恒溫電阻絲加熱爐一側(cè)連接有生長(zhǎng)爐移動(dòng)機(jī)構(gòu)；上下恒溫電阻絲加熱爐中心管道與坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)活動(dòng)連接，坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)放置石英坩堝。該裝置能實(shí)現(xiàn)化合物晶體的不同方法生長(zhǎng)。