一種化合物半導(dǎo)體材料生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420247283.5 申請日 -
公開（公告）號 CN203834049U 公開（公告）日 2014-09-17
申請公布號 CN203834049U 申請公布日 2014-09-17
分類號 C30B11/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 盛麗娜;程翠然;李陽 申請（專利權(quán)）人 西安西凱化合物材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安吉盛專利代理有限責(zé)任公司 代理人 邱志賢
地址 710000 陜西省西安市西咸新區(qū)秦漢新城管委會蘭池大道規(guī)劃展覽中心018室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種化合物半導(dǎo)體生長裝置，屬于半導(dǎo)體材料生長工藝技術(shù)領(lǐng)域。其特征是：至少包括爐架、生長爐體、裝載生長材料的石英坩堝、坩堝移動機(jī)構(gòu)、上下恒溫電阻絲加熱爐、電阻絲、生長爐移動機(jī)構(gòu)，生長爐體在爐架上平面內(nèi)放置，生長爐體為一側(cè)開口的管狀結(jié)構(gòu)，上下恒溫電阻絲加熱爐也為管狀結(jié)構(gòu)，上下恒溫電阻絲加熱爐外徑小于生長爐體的內(nèi)徑，可使上下恒溫電阻絲加熱爐在生長爐體內(nèi)移動；在上下恒溫電阻絲加熱爐一側(cè)連接有生長爐移動機(jī)構(gòu)；上下恒溫電阻絲加熱爐中心管道與坩堝移動機(jī)構(gòu)活動連接，坩堝移動機(jī)構(gòu)放置石英坩堝。該裝置能實現(xiàn)化合物晶體的不同方法生長。