一種實現(xiàn)化合物半導(dǎo)體材料退火的設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420247285.4 申請日 -
公開（公告）號 CN203834053U 公開（公告）日 2014-09-17
申請公布號 CN203834053U 申請公布日 2014-09-17
分類號 C30B33/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 程翠然;盛麗娜;李陽 申請（專利權(quán)）人 西安西凱化合物材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安吉盛專利代理有限責(zé)任公司 代理人 邱志賢
地址 710000 陜西省西安市西咸新區(qū)秦漢新城管委會蘭池大道規(guī)劃展覽中心018室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種實現(xiàn)化合物半導(dǎo)體材料退火的設(shè)備，其特征是：至少包括：石英爐膛（1）、梯度溫度加熱器（2）、坩堝（3）、坩堝移動機(jī)構(gòu)（4），坩堝移動機(jī)構(gòu)（4）固定坩堝（3），坩堝移動機(jī)構(gòu)（4）在石英爐膛（1）內(nèi)活動固定，使坩堝（3）在石英爐膛（1）左右移動；石英爐膛（1）有梯度溫度加熱器（2）。該設(shè)備能根據(jù)晶體厚度，設(shè)定梯度溫場的長度，從而快速、有效的改善半導(dǎo)體材料的均勻性。