一種化合物半導(dǎo)體用合成爐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201520676445.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN204959081U | 公開(公告)日 | 2016-01-13 |
申請公布號 | CN204959081U | 申請公布日 | 2016-01-13 |
分類號 | C30B28/06;C30B29/40;C30B29/48 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 于暉;魏登科;樊玉 | 申請(專利權(quán))人 | 西安西凱化合物材料有限公司 |
代理機構(gòu) | 西安吉盛專利代理有限責任公司 | 代理人 | 邱志賢 |
地址 | 710000 陜西省西安市西咸新區(qū)秦漢新城周陵新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)天工一路東段8號-1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型屬于晶體的熔體法合成生長裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體提供了一種化合物半導(dǎo)體用合成爐,包括爐體、爐膛以及支架,爐膛設(shè)于爐體內(nèi),所述爐體與支架之間通過鉸鏈一連接,支架上還固定有伺服電機,伺服電機的轉(zhuǎn)軸與連桿二的右端固定連接,連桿二的左端與連桿一的下端鉸接,連桿一的上端通過鉸鏈二與爐體的左端連接;爐膛沿其表面繞有加熱爐絲;爐膛與爐體之間填充有保溫介質(zhì),該保溫介質(zhì)以爐體的中間部位為分界,其左半部分的導(dǎo)熱系數(shù)低于右半部分的導(dǎo)熱系數(shù)。本實用新型解決了化合物半導(dǎo)體合成爐在合成后,坩堝遠地端元素附著、致使化合物偏離化學計量比的問題,提高了晶體生長的質(zhì)量,降低了設(shè)備成本。 |
