基于AlGaN/GaN超晶格電子發(fā)射層GaN耿氏二極管及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410270942.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104022220B 公開(kāi)（公告）日 2017-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN104022220B 申請(qǐng)公布日 2017-01-11
分類號(hào) H01L47/02(2006.01)I;H01L47/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊林安;許詳;李亮;張進(jìn)成;郝躍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 晉江三伍微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 西安電子科技大學(xué);廈門(mén)宇臻集成電路科技有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于AlGaN/GaN超晶格電子發(fā)射層GaN耿氏二極管及其制作方法，主要解決現(xiàn)有耿氏器件功率低、散熱差的問(wèn)題。該二極管包括主體部分和輔體部分，主體部分自下而上為：SiC襯底、AlN成核層、n+GaN陰極歐姆接觸層、電子發(fā)射層、n?GaN有源層和n+GaN陽(yáng)極歐姆接觸層；輔體部分包括環(huán)形電極、襯底電極、圓形電極、鈍化層、開(kāi)孔和通孔。其中：電子發(fā)射層采用AlGaN/GaN超晶格，該超晶格有4到6個(gè)周期，每個(gè)周期中GaN層和AlGaN層的厚度均為10?20nm，且AlGaN層中的Al組分自下而上由0％線性漸變到15％。本發(fā)明能顯著減小“死區(qū)”長(zhǎng)度,降低位錯(cuò)濃度，適用于太赫茲頻段工作。