線性薄膜磁阻傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210205416.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102680009B 公開（公告）日 2015-08-05
申請公布號 CN102680009B 申請公布日 2015-08-05
分類號 G01D5/12 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王建國 申請（專利權(quán)）人 寧波希磁電子科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 315299 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)中官路1188號10棟2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種線性薄膜磁阻傳感器，其包括種子層；參考層，位于種子層上，具有第一磁矩；非磁性隔離層，位于所述參考層上，將參考層與磁性自由層隔離；磁性自由層，位于非磁性隔離層上，具有第二磁矩，所述第二磁矩具有垂直于膜面的各向異性，且第二磁矩的方向與第一磁矩的方向相互垂直。本發(fā)明由于磁性自由層的第二磁矩具有垂直于膜面的各向異性，磁性自由層在平行于膜面的方向表現(xiàn)出極低的磁滯，并且較低的飽和場，使得形成磁阻傳感器具有較高的靈敏度；還能形成帶聚磁環(huán)的閉環(huán)電流傳感器和不帶聚磁環(huán)的開環(huán)電流傳感器，磁滯小，精度和線性度高，線性范圍可調(diào)，工藝簡單，響應(yīng)頻率高，成本低，抗干擾性強和溫度特性好。