一種GaNHEMT器件閾值電壓及漏極電流模型的建立方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210195724.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114564907A | 公開（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114564907A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-31 |
| 分類號(hào) | G06F30/367（2020.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分類 | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 周琦;羅志華;黨其亮;鄧超;蔡永蓮;母彧丞;張波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 611731四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種GaN HEMT器件閾值電壓及漏極電流模型的建立方法。本發(fā)明以薛定諤泊松方程、費(fèi)米狄拉克統(tǒng)計(jì)為基礎(chǔ)，考慮氮化鎵HEMT器件高頻、高漏源電壓開關(guān)條件下閾值電壓漂移，基于陷阱中心對(duì)溝道載流子的捕獲與釋放效應(yīng)，將器件閾值電壓漂移模型構(gòu)建為與器件漏源電壓和器件開關(guān)頻率相關(guān)，并基于此構(gòu)建出可適用于不同漏源電壓和開關(guān)頻率下氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓及漏極電流的解析模型。本發(fā)明的GaN HEMT器件閾值電壓及漏極電流模型建立方法，解決了目前主流模型在電路仿真平臺(tái)中無法預(yù)測GaN HEMT器件在不同頻率不同漏源電壓下的閾值電壓漂移與電流崩塌現(xiàn)象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型對(duì)閾值電壓及漏極電流的預(yù)測精度。 |
