一種氮化鎵3D-RESURF場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110317473.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113078204B | 公開（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113078204B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-17 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周琦;李翔宇;黃芃;陳匡黎;王景海;韓曉琦;張波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 611731四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種氮化鎵3D?RESURF場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。本發(fā)明在傳統(tǒng)氮化鎵HEMT器件中通過刻槽并二次外延的方式引入P型氮化鎵電場(chǎng)調(diào)制區(qū)。在漂移區(qū)處形成P型氮化鎵—二維電子氣構(gòu)成的p?n結(jié)，并通過器件阻斷耐壓時(shí)該p?n結(jié)空間電荷區(qū)的耗盡與擴(kuò)展在平行于柵寬方向引入電場(chǎng)強(qiáng)度分量，改變?cè)须妶?chǎng)方向，使得柵極漏側(cè)電場(chǎng)尖峰得到緩解，電場(chǎng)強(qiáng)度明顯降低；同時(shí)，利用該p?n結(jié)耗盡二維電子氣，降低了器件漏電流，提高器件單位漂移區(qū)長度耐壓能力。本發(fā)明通過在氮化鎵HEMT器件中引入P型氮化鎵—二維電子氣p?n結(jié)實(shí)現(xiàn)了一種不同于傳統(tǒng)場(chǎng)板技術(shù)的新型電場(chǎng)調(diào)制方式，利用該新結(jié)構(gòu)在提高器件擊穿電壓的同時(shí)降低了器件的導(dǎo)通電阻。 |
