一種氮化鎵P溝道器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210174673.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114551573A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551573A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周琦;蔡永蓮;陳匡黎;王守一;衡姿余;李競研;張波 申請（專利權(quán)）人 電子科技大學廣東電子信息工程研究院
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 611731四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體技術領域，涉及一種氮化鎵P溝道器件（P?MOSFET）。本發(fā)明中氮化鎵P?MOSFET的AlGaN勢壘層具有漸變Al組分，利用漸變Al組分AlGaN勢壘層和P?GaN溝道層之間的極化效應，在P?GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面產(chǎn)生二維空穴氣（2DHG），形成導電空穴溝道，從而形成氮化鎵P?MOSFET。本發(fā)明的有益效果：利用漸變Al組分AlGaN勢壘層，可以通過調(diào)節(jié)漸變Al組分AlGaN勢壘層中各層的Al組分調(diào)節(jié)AlGaN與P?GaN溝道層之間的極化強度，從而調(diào)節(jié)極化產(chǎn)生的2DHG濃度、氮化鎵P?MOSFET的閾值電壓和電流能力；同時，也可以通過調(diào)節(jié)AlGaN勢壘層中各層的Al組分，調(diào)節(jié)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣（2DEG）濃度，從而實現(xiàn)氮化鎵P?MOSFET和氮化鎵N?MOSFET的單片集成。