一種GaNHEMT器件閾值電壓及漏極電流模型的建立方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210195724.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114564907A 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN114564907A 申請公布日 2022-05-31
分類號 G06F30/367（2020.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 周琦;羅志華;黨其亮;鄧超;蔡永蓮;母彧丞;張波 申請（專利權(quán)）人 電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 611731四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種GaN HEMT器件閾值電壓及漏極電流模型的建立方法。本發(fā)明以薛定諤泊松方程、費米狄拉克統(tǒng)計為基礎(chǔ)，考慮氮化鎵HEMT器件高頻、高漏源電壓開關(guān)條件下閾值電壓漂移，基于陷阱中心對溝道載流子的捕獲與釋放效應(yīng)，將器件閾值電壓漂移模型構(gòu)建為與器件漏源電壓和器件開關(guān)頻率相關(guān)，并基于此構(gòu)建出可適用于不同漏源電壓和開關(guān)頻率下氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓及漏極電流的解析模型。本發(fā)明的GaN HEMT器件閾值電壓及漏極電流模型建立方法，解決了目前主流模型在電路仿真平臺中無法預(yù)測GaN HEMT器件在不同頻率不同漏源電壓下的閾值電壓漂移與電流崩塌現(xiàn)象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型對閾值電壓及漏極電流的預(yù)測精度。