基于非晶氧化鎵薄膜的日盲紫外探測器及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910732617.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110444618B | 公開（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申請公布號 | CN110444618B | 申請公布日 | 2021-10-22 |
| 分類號 | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/20 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張彥芳;程東;葉建東;鞏賀賀;陳選虎;任芳芳;朱順明;顧書林 | 申請（專利權）人 | 中電科技德清華瑩電子有限公司 |
| 代理機構 | 南京瑞弘專利商標事務所（普通合伙） | 代理人 | 趙艷平 |
| 地址 | 210093 江蘇省南京市鼓樓區(qū)漢口路22號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于非晶氧化鎵薄膜的柔性日盲紫外探測器，探測器以高分子(如PET、聚酰亞胺)薄膜或織物為柔性襯底，使用超寬禁帶半導體氧化鎵(Ga2O3)(半導體層)為光探測材料，使用金屬或氮化鈦(TiN)半導體作為電極材料，通過光刻、刻蝕和薄膜沉積等半導體工藝制備肖特基接觸電極層，形成金屬電極?半導體層?金屬電極(MSM)結構探測器，可實現對波長小于280nm的日盲紫外光的有效探測。 |
