一種單晶爐籽晶冷卻桿及晶種附近熔體溫度梯度調(diào)整方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910486470.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110106552A 公開（公告）日 2019-08-09
申請公布號 CN110106552A 申請公布日 2019-08-09
分類號 C30B29/20;C30B15/20 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高佑君;王維林 申請（專利權）人 山西華晶恒基新材料有限公司
代理機構 太原晉科知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 趙科
地址 034000 山西省忻州市忻府區(qū)開發(fā)區(qū)汾源街項目孵化基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種單晶爐籽晶冷卻桿，包括冷卻管，所述冷卻管設置有進水口和出水口，所述冷卻管包括相互套接的內(nèi)冷套管和外冷套管，所述內(nèi)冷套管、外冷套管各自設置進出水口，所述內(nèi)冷套管設置有其相對于外冷套管的第一位移傳感器，所述外冷套管設置有其相對于單晶爐的第二位移傳感器。本發(fā)明通過增加一個活動的內(nèi)冷套管，通過內(nèi)、外冷套管相對位置的變化，避免了現(xiàn)有技術中只能被動接受整體的熔體溫度梯度，實現(xiàn)了對籽晶及籽晶附近熔體溫度梯度的調(diào)整，極大的提高了引晶效率和放肩效率，具有較大的經(jīng)濟效益。