一種取光率高的發(fā)光元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122063779.X 申請日 -
公開（公告）號 CN216054762U 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN216054762U 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄺光寧;王派天;江仁杰;李志杰 申請（專利權）人 山西華晶恒基新材料有限公司
代理機構 太原達引擎專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 朱世婷
地址 030000山西省忻州市開發(fā)區(qū)半導體產業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型為一種取光率高的發(fā)光元件，屬于發(fā)光半導體領域；提出一種取光率高且整體品質優(yōu)良的發(fā)光元件；技術方案為：一種取光率高的發(fā)光元件，包括：發(fā)光元件基板、金屬反光層、第一電極、第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層和第二電極；所述發(fā)光元件基板上端面設置有若干圓臺凸起，圓臺凸起上端面設置有中介層，所述中介層為若干微小凸起結構；若干圓臺凸起之間的發(fā)光元件基板上端面設置有金屬反光層；所述中介層上方依次磊晶成長第一半導體層、發(fā)光層和第二半導體層,所述第一半導體層上還設置有第一電極,所述第二半導體層上還設置有第二電極。