一種取光率高的發(fā)光元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122063779.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN216054762U 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號(hào) CN216054762U 申請公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄺光寧;王派天;江仁杰;李志杰 申請（專利權(quán)）人 山西華晶恒基新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 太原達(dá)引擎專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 朱世婷
地址 030000山西省忻州市開發(fā)區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型為一種取光率高的發(fā)光元件，屬于發(fā)光半導(dǎo)體領(lǐng)域；提出一種取光率高且整體品質(zhì)優(yōu)良的發(fā)光元件；技術(shù)方案為：一種取光率高的發(fā)光元件，包括：發(fā)光元件基板、金屬反光層、第一電極、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和第二電極；所述發(fā)光元件基板上端面設(shè)置有若干圓臺(tái)凸起，圓臺(tái)凸起上端面設(shè)置有中介層，所述中介層為若干微小凸起結(jié)構(gòu)；若干圓臺(tái)凸起之間的發(fā)光元件基板上端面設(shè)置有金屬反光層；所述中介層上方依次磊晶成長第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層,所述第一半導(dǎo)體層上還設(shè)置有第一電極,所述第二半導(dǎo)體層上還設(shè)置有第二電極。