一種GaN基SBD倒裝芯片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811408375.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109346405B 公開（公告）日 2021-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN109346405B 申請(qǐng)公布日 2021-12-03
分類號(hào) H01L21/329（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田媛;謝志堅(jiān);鐘玉煌;王書宇;閆曉密;黃慧詩(shī) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇星光恒輝半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214192 江蘇省無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于SBD技術(shù)領(lǐng)域，提供一種GaN基SBD倒裝芯片的制備方法，包括如下步驟：制作AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)外延層?制作圖形化的AlGaN層?形成歐姆電極?形成肖特基電極?制作AlN絕緣介質(zhì)層?制作焊盤電極；本發(fā)明的SBD倒裝芯片采用藍(lán)寶石襯底，可降低芯片的制作成本，采用高熱導(dǎo)率的AlN薄膜層作為絕緣層，大幅度改善了因藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱系數(shù)較低導(dǎo)致倒裝SBD芯片的系統(tǒng)熱阻過高的問題，滿足大功率的應(yīng)用需求。