一種氮化鎵基紅光外延片結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711052308.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107845710B 公開（公告）日 2019-08-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN107845710B 申請(qǐng)公布日 2019-08-16
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜紅苓;鐘玉煌;田淑芬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇星光恒輝半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇新廣聯(lián)半導(dǎo)體有限公司;江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司
地址 214192 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種氮化鎵基紅光外延片結(jié)構(gòu)及制備方法，包括藍(lán)寶石襯底、緩沖層、N型層、有源區(qū)發(fā)光層和P型層，在藍(lán)寶石襯底上依次覆蓋有緩沖層、N型層、有源區(qū)發(fā)光層和P型層，其特征在于：所述有源區(qū)發(fā)光層包含若干對(duì)MQW阱層和壘層，且MQW阱層和壘層分別為InyGa1?yN量子阱阱層和GaN壘層，其中，y的范圍為0.1~0.3；本發(fā)明是以GaN基結(jié)構(gòu)來生長紅光外延片，其結(jié)構(gòu)簡單、原材料安全、工藝容易實(shí)現(xiàn)，安全可靠，有利于降低對(duì)人體的傷害和環(huán)境的污染。