電容充放電裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710324682.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN107167720B 公開(公告)日 2019-12-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN107167720B 申請(qǐng)公布日 2019-12-13
分類號(hào) G01R31/26(2014.01); G01R1/28(2006.01) 分類 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 周鋒; 黃慧詩; 華斌; 張秀敏; 閆曉密; 鄭寶玉 申請(qǐng)(專利權(quán))人 江蘇星光恒輝半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 江蘇新廣聯(lián)半導(dǎo)體有限公司
地址 214192 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種電容充放電裝置,其特征是:包括單片機(jī)模塊、裝置輸入端、整流電路、單片機(jī)供電電路、充放電電路以及負(fù)載;所述裝置輸入端連接整流電路,整流電路連接A開關(guān)和單片機(jī)供電電路,單片機(jī)供電電路通過B開關(guān)連接單片機(jī)模塊;所述充放電電路包括多路的充放電電路,每路充放電電路包括依次連接的前PMOS電路、前防反沖電路、可換電容插槽、后PMOS電路和后防反沖電路,前PMOS電路和后PMOS電路的輸入連接A開關(guān),后防反沖電路的輸出連接負(fù)載;所述單片機(jī)模塊的IO口連接前光耦電路和后光耦電路,前光耦電路連接前PMOS電路,后光耦電路連接后PMOS電路。本發(fā)明通過對(duì)電容進(jìn)行充電和放電,對(duì)LED負(fù)載提供沖擊模擬,輕易地獲得了LED因沖擊而造成的各種不良現(xiàn)象。